金屬氧化物半導體場效電晶體 維基百科，自由的百科全書
通常MOSFET並聯二極體的作用為:使電感電流續流而不會將關斷時所有的功耗能量加在MOSFET上,而產生高dv/dt及高溫加snubber circuit作用為降低MOSFET之D,S端的dv/dt, 二極體（英語： diode ）又称二极体，是一种具有不对称电导的两个 端子 （阴阳二极接线端，故名「二極」）的电子元件；此二极使其原则上仅允许电流作单方向传导，它在一个方向为低电阻（理想情况下是零），高電流，而在另一个方向为高电阻。二極體（英語： diode ）又称二极体，是一种具有不对称电导的两个 端子 （阴阳二极接线端，故名「二極」）的电子元件；此二极使其原则上仅允许电流作单方向传导，它在一个方向为低电阻（理想情况下是零），高電流，而在另一个方向为高电阻。
SiC科普小课堂 横向导电和垂直导电的MOSFET结构
為什麼MOS管要並聯個二極體？ 每日頭條
MOS 可能指以下其中一項的英語縮寫：. 馬鞍山 （Ma On Shan），位於 香港 沙田區 的新市鎮. 港鐵 馬鞍山站 的英文代號. 馬鞍山郵政局的英文代號. 胎糞阻塞綜合症 （Meconium 五極電晶體 （ 英語 ： Pentode transistor ） 電解存儲器 （ 英語 ： Memistor ） 憶阻器; 雙極性電晶體（ BJT ） 多閘極電晶體; 鰭式場效電晶體; 互補式金屬氧化物半導體; 金屬氧化物半導體場效電晶體（ MOSFET ） 接面場效電晶體（ JFET ） 場效電晶體（ FET ） 量子線路源極與汲極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。. 左圖NMOS的源極與汲極上標示的「N+」代表著兩個意義：（1）N代表摻雜（doped）在源極與汲極區域的雜質極性為N；（2）「+」代表這個區域為高摻雜濃度區域（heavily doped region），也就是此區的
場效電晶體、mos管、二極體、三極體全面科普！它們各有什麼作
通常由二氧化鋅的燒結體顆粒製成，當作非線性電阻使用。 雖然一般認為它的作用應是由內部眾多金屬氧化物顆粒間的蕭特基接面二極體效應而產生，但對外並不呈現二極體的特 源極與汲極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。. 左圖NMOS的源極與汲極上標示的「N+」代表著兩個意義：（1）N代表摻雜（doped）在源極與汲極區域的雜質極性為N；（2）「+」代表這個區域為高摻雜濃度區域（heavily doped region），也就是此區的五極電晶體 （ 英語 ： Pentode transistor ） 電解存儲器 （ 英語 ： Memistor ） 憶阻器; 雙極性電晶體（ BJT ） 多閘極電晶體; 鰭式場效電晶體; 互補式金屬氧化物半導體; 金屬氧化物半導體場效電晶體（ MOSFET ） 接面場效電晶體（ JFET ） 場效電晶體（ FET ） 量子線路